Descrizione posizione

Titolo del progetto di ricerca in italiano	Nuove architetture di convertitori DC-DC integrati in tecnologia BCD per sistemi di alimentazione ad alta efficienza e alta densità di potenza 2025_RTT_DEIB_12
Titolo del progetto di ricerca in inglese	Novel DC-DC converter architectures integrated in a BCD technology for high-efficiency, high power density supplies 2025_RTT_DEIB_12
Descrizione sintetica in italiano	L'obiettivo dell'attività di ricerca è l'ideazione e la realizzazione di nuove architetture di convertitori DC-DC integrati ad alta efficienza e alta densità di potenza. L'ambito applicativo sono i circuiti integrati di gestione dell'alimentazione per dispositivi portatili, dove l'esigenza di risparmio energetico è estrema. Per il raggiungimento degli obiettivi, l'attività di ricerca prevede sia l'adozione di schemi di controllo innovativi di tipo time-based, sia lo sviluppo di topologie di conversione avanzate. Tra queste ultime saranno privilegiate le topologie risonanti a capacità commutate, in grado di combinare alta efficienza e densità di potenza grazie all'uso di induttori di basso valore realizzabili su PCB o direttamente integrabili in silicio. La realizzazione dei convertitori DC-DC si baserà su tecnologie di tipo BCD con CMOS a lunghezza minima di canale fino a 40nm.
Descrizione sintetica in inglese	The research aims at developing novel integrated DC-DC converter architectures with high efficiency and high power density. The main application area includes integrated power management circuits (PMICs) for portable devices, where the need for energy efficiency is critical. To achieve the research objectives, both innovative time-based control schemes and advanced conversion topologies will be investigated. Efforts will be mainly focused on resonant switched capacitor (ReSC) topologies, which can provide both high efficiency and high power density by using nH inductors embedded in a flip-chip assembly or integrated in silicon. The DC-DC converters will be fabricated in a BCD technology with CMOS minimum channel length down to 40nm.
Numero posti	1
G.S.D.	09/IINF-01 - ELETTRONICA
S.S.D	IINF-01/A - Elettronica
Destinatari del bando (of target group)	Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc)
Data del bando	29/05/2025

 

FP7 / PEOPLE / Marie Curie Actions

Research Framework Programme / Marie Curie Actions	No

 

Dettagli dell'impiego

Tipo di contratto	Temporary
Tempo	Full-time
Ore settimanali	00
Organizzazione/Ente	Politecnico di Milano
Paese (dove si svolgerà l'attività)	ITALY
Città	Milano

 

Contatto presso l'Organizzazione/Ente

Organizzazione/Ente	Politecnico di Milano
Tipo	Academic
Paese	ITALY
Città	Milano
E-mail	concorsi@polimi.it
Sito web	https://www.polimi.it/en/bandi-per-i-ricercatori

 

Dettagli per la candidatura

Data di scadenza del bando	04/08/2025 - alle ore 23:59
Come candidarsi	Other

 

Titoli di studio richiesti

Laurea	PhD or equivalent
Ambito della laurea	Other

 

Lingue richieste

Lingua	ENGLISH
Livello di conoscenza della lingua	Good

 

Requisiti aggiuntivi

Requisiti specifici in italiano

Sono ammessi a partecipare alla selezione i candidati, italiani o stranieri, che sono in possesso del titolo di dottore di ricerca o equivalente, conseguito in Italia o all'estero e che, negli ultimi 5 anni, sono stati autori, coautori o curatori, in numero pari o superiore a 6, di pubblicazioni, testi accettati per la pubblicazione, saggi inseriti in opere collettanee e articoli editi su riviste in formato cartaceo o digitale, con l'esclusione di note interne o rapporti dipartimentali.

Requisiti specifici in inglese

Italian or foreign applicants, who have a PhD or equivalent qualification, obtained in Italy or abroad are admitted to selection process. In addition, in the past 5 years, they must have authored, co-authored, or edited a number of publications, accepted texts, essays included in collections, and articles published in print or digital journals equal to or exceeding the minimum required number of 6, excluding internal notes or departmental reports.