Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor su nitruro di gallio: problematiche di trapping e di affidabilità |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | GaN-based transistors: trapping and reliability issues |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Scopo di questo progetto è lo studio dei meccanismi di degrado e di intrappolamento di carica di transistor HEMT su GaN. L’attività di ricerca sarà basata su misure elettriche ed ottiche volte a comprendere la correlazione tra struttura dei dispositivi, meccanismi di perdita/degrado, e presenza di eventuali stati trappola. |
Descrizione sintetica in inglese | This project aims at studying degradation mechanisms and the trapping processes in GaN-based HEMTs. The activity will be based on electrical and optical measurements (both dc and transient), aimed at understanding the correlation between device structure, loss/degradation mechanisms, and presence of lattice defects. |
Data del bando | 06/05/2015 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Padova |
Sito web | http://www.dei.unipd.it |
zanoni@dei.unipd.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 22/05/2015 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |