Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor su nitruro di gallio: problematiche di trapping e di affidabilità |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | GaN-based transistors: trapping and reliability issues |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Scopo di questo progetto è lo studio dei meccanismi di degrado e di intrappolamento di carica di transistor HEMT su GaN. L’attività di ricerca sarà basata su misure elettriche ed ottiche volte a comprendere la correlazione tra struttura dei dispositivi, meccanismi di perdita/degrado, e presenza di eventuali stati trappola. |
| Descrizione sintetica in inglese | This project aims at studying degradation mechanisms and the trapping processes in GaN-based HEMTs. The activity will be based on electrical and optical measurements (both dc and transient), aimed at understanding the correlation between device structure, loss/degradation mechanisms, and presence of lattice defects. |
| Data del bando | 06/05/2015 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 22/05/2015 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |