Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sistemi di illuminazione allo stato solido basati su dispositivi a semiconduttore composito,studio dei materiali,delle strutture,dei dispositivi e dei sistemiperincrementarelaconoscenza,le prestazioniel’affidabilità di dispositiviLED |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Solid state lighting systems based on compound semiconductor devices, study of the materials, structures, devices and systems to increase the knowledge, the performances and the reliability of next generation LED devices. |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Lo scopo di questo progetto è lo studio di: 1. comportamento elettrico ed ottico di LED su GaN ed AlInGaP per mezzo di (i) caratterizzazione elettro-ottica dei materiali e delle strutture che costituiscono i dispositivi anche grazie a misure spettroscopiche, (ii) simulazione elettro-ottica delle caratteristiche dei dispositivi, sulla base dei dati ottenuti mediante (i) 2.affidabilità e limiti di utilizzo di dispositivi optoelettronici di nuova generazione. In particolare si focalizzerà l'attenzione su (i) gli effetti di alte temperature ed alte correnti sulle cinetiche di degrado, (ii) lo sviluppo di modelli di degrado adeguati. 3. sistemi optoelettronici ad alta efficienza con caratteristiche cromatiche specifiche. |
| Descrizione sintetica in inglese | The purpose of the research project is the study of: 1. The electro-optical characteristics of GaN and AlInGaP LEDs by means of (i) electro-optical measurements of the structures, also by means of spectroscopic measurements, (ii) simulation of the device structures on the basis of the obtained parameters. 2. Reliability and operating conditions for next generation optoelectronic devices. In particular the attention will be focused on (i) the effects of high temperature and high currents on degradation kinetics, (ii) the development of consistent degradation models. 3. Optoelectronic systems with high efficiency and advanced chromatic properties. |
| Data del bando | 10/01/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
| Nazionalità dei candidati |
Italy |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7159 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione- Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 26/01/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |