Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di modelli TCAD di trasporto per transistori MOS basati su semiconduttori composti III-V |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of TCAD transport models for MOS transistors based on III-V compound semiconductors |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'attività verterà sullo sviluppo di modelli avanzati di trasporto per simulazioni TCAD di transistori MOS in semiconduttori composti III-V. Verranno considerati due aspetti del problema: i) sviluppo di modelli di mobilità per materiali di canale MOS III-V che includano la mobilità per bassi campi limitata da effetti di quantizzazione, spessore dello strato di canale, collisioni con impurezze, fononi, rugosità superficiale e centri di trappola, e tengano conto di orientazione cristallografica e strain; modello di velocità di saturazione e transizione tra regime di bassi ed alti campi; ii) identificazione di termini correttivi ai modelli di mobilità standard al fine di tener conto degli effetti quasi-balistici in MOSFET con canale molto corto. I modelli saranno basati su un fondamento teorico e calibrati su dati sperimentali. |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity will focus on the development of advanced transport models for TCAD simulations of MOS transistors in III-V compound semiconductors. Two aspects of the problem will be considered: i) development of mobility models for III-V MOS channel materials, including low-field mobility limited by quantization effects, channel layer thickness, scattering with impurities, phonons, surface roughness and trap centers, and accounting for crystal orientation and strain effects; models for velocity saturation and transition between low- and high-field regime; ii) identification of correction terms to the standard mobility models in order to account for quasi-ballistic effects in very short-channel MOSFETs. The models will be based on a theoretical foundation and calibrated against experimental data. |
| Data del bando | 22/07/2015 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM. |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| antonio.gnudi@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 25/08/2015 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |