Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Crescita MOVPE e caratterizzazione di nanowire di semiconduttori III-N-V a banda intermedia per celle fotovoltaiche ad alta efficienza |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | MOVPE growth and characterization of intermediate-band III-N-V compounds based nanowires for high efficiency photovoltaic cells |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
Descrizione sintetica in italiano | Il programma di attività riguarda (i) lo sviluppo di una tecnologia di sintesi per auto-assemblaggio di nano-cristalli quasi 1-dimensionali, i cosiddetti nanowire (NW), di semiconduttori della famiglia dei nitruri diluiti del III-gruppo (III-N-V), e (ii) lo studio delle loro proprietà di banda intermedia e di interazione con i fotoni, ai fini del loro futuro impiego nella fabbricazione di celle fotovoltaiche ad alta efficienza. In particolare, si intendono realizzare etero-strutture a NW core-shell e core-multishell del tipo GaNAs/Ga(Al)As mediante crescita MOVPE, utilizzando processi di auto-assemblaggio quali la crescita da nano-catalizzatore metallico (meccanismo Vapore-Liquido-Solido, VLS) e l’epitassia selettiva (SAE) |
Descrizione sintetica in inglese | The research activity concerns (i) the development of a self-assembly technology for the synthesis of quasi 1-dimensional nanocrystals, so-called nanowires (NWs), based on dilute nitride III-V compound semiconductors (III-V-N), and (ii) the study of their intermediate bandgap properties and interaction with photons, for their future exploitation to the fabrication of high efficiency photovoltaic cells. In particular, we need to realize GaNAs/Ga(Al)As core-shell and core-multishell NW heterostructures by MOVPE growth, exploiting self-assembly processes such as metal-catalyst assisted growth (i.e. Vapour-Liquid-Solid – VLS – mechanism) and selective area epitaxy (SAE) |
Data del bando | 12/01/2016 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
Nazionalità dei candidati |
Italy |
Sito web del bando | http://www.unisalento.it/web/guest/concorsi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
Importo annuale | 19367 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | yes |
Comprende il costo della ricerca | yes |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Titoli e colloquio |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Degrees, qualifications and interview |
Nome dell'Ente finanziatore | Università del Salento |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Lecce |
Codice postale | 73100 |
Sito web | http://www.unisalento.it |
paola.solombrino@unisalento.it | |
Telefono | 0832297700 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 11/02/2016 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |