Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sintesi e morfologia di nanofili di semiconduttori per misure quantitative di esposizione nella definizione e categorizzazione dei livelli di rischio dei soggetti esposti ai nanomateriali. Progetto BRIC-INAIL - Bando NANO AR 003/2016 PI |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Synthesis and morphological characterization of semiconductor nanowires for quantitative measurements of nanomaterial exposure. Project BRIC INAIL - CALL NANO AR 003/2016 PI |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività è divisa in tre fasi: Fase 1: Sintesi di nanofili a semiconduttore utilizzando la tecnica di epitassia CBE. Fase 2: Caratterizzazione morfologica di nanofili a semiconduttore attraverso misure SEM. Fase 3: Divulgazione dei risultati ottenuti |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity is divided in three steps: Step 1: Synthesis of semiconductor nanowires by means of chemical beam epitaxy Step 2:.Morphological characterization of semiconductor nanowires by SEM measurements. Step 3: Dissemination of the obtained results |
| Data del bando | 23/02/2016 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/assegni/immagini/pdf1.jpg |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
a)diploma di Laurea in Fisica, o in Chimica, o in Ingegneria, o in Scienza dei materiali o in materie affini e Dottorato di richerca in Fisica o materie affini, b)Documentata esperienza della fisica dello stato solido, delle tecniche di crescita epitassiale e di caratterizzazione di nanometeriali c)Conoscenza della lingua inglese; |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
•Master in Physics, or in Chemistry, or in Engineering, or in Materials Science or in related disciplines. •PhD in Physics or in related disciplines. •It is mandatory to demonstrate a good knowledge of the basis of solid state physics, epitaxial growth and nanomaterial characterization techniques. •Knowledge of English language; •Knowledge of Italian language (only for foreign applicants) |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature presentate in conformità con il bando NANO AR 003/2016 PI, il giorno 24 marzo 2016 alle ore 11 presso la Sede di Pisa dell’Istituto NANO, Piazza S. Silvestro 12, 56127 Pisa. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for applications submitted in conformity with vacancy call NANO AR 003/2016 PI, will held on March 24, 2016, at 11:00 a.m. (local time) at the Institute NANO of CNR – Piazza San Silvestro 12 – 56127 PISA (Italy). |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - ISTITUTO NANOSCIENZE (NANO) |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | I-56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it/ |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 10/03/2016 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |