Bandi per assegni di ricerca

ROMA "Tor Vergata"

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Bando per assegno di ricerca
Descrizione del bando
Titolo del progetto di ricerca in italiano Studio di nanoibridi nanofili di Si/punti quantici semiconduttori per celle solari di 3a generazione
Titolo del progetto di ricerca in inglese Study of novel nanohybrid Si nanowire/cemiconductor quantum dots for 3rd generation solar cells
Settore Concorsuale 02 - Scienze fisiche
S.S.D FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
Descrizione sintetica in italiano L’energia solare è tra le più promettenti fonti di energia rinnovabile. Al fine di incrementare il suo uso, è necessario migliorarne il rapporto efficienza/costo. In questo contesto diventa impellente lo sviluppo di dispositivi dispositivi fotovoltaici di 3° generazione che abbiano migliori prestazioni a costi inferiori di quelli oggi presenti sul mercato. Il presente progetto si propone di realizzare e studiare le proprietà strutturali ed optoelettroniche di materiali nanoidridi (NH), basati su un’associazione appropriata di nanofili di silicio (SiNW) e punti quantici di semiconduttori (SmQD) o di SiNWs e nanoparticelle metalliche (MNP) da utilizzare in dispositivi fotovoltaici innovativi. Si indagherà la possibilità di sfruttare: nei NH SiNW/SmQD, il processo di generazione di eccitoni multipla, con cui più coppie elettrone-lacuna sono create dall’assorbimento di un singolo fotone
Descrizione sintetica in inglese Solar energy is among the most promising sources of renewable energy. In order to increase its use, it is necessary to improve the efficiency/cost ratio. In this scenario, it becomes urgent the development of 3rd generation photovoltaic devices having better performance at a lower cost than those currently on the market. This project aims to fabricate and study structural and optoelectronic properties of nanohybrid materials (NH), based on an appropriate association of silicon nanowires (SiNW) and semiconductor quantum dots (SmQD) or of SiNWs and metal nanoparticles (MNP) for their potential application in photovoltaic devices. We will investigate the possibility of exploiting: in SiNW/SmQD NH the multiple exciton generation process, with which in suitable SmQDs a number of electron-hole pairs are created by the absorption of a single photon and in SiNW/MNP NH, the plasmonic effects or charge transfer induced by the presence of MNP
Data del bando 10/06/2016
Paesi in cui può essere condotta la ricerca Italy
Paesi di residenza dei candidati EUROPE
Nazionalità dei candidati EUROPE
Sito web del bando http://www.uniroma2.it

 

Dettagli dell'assegno di ricerca
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate)

 

Finanziatore
Nome dell'Ente finanziatore UNIVERSITA DEGLI STUDI DI ROMA TOR VERGATA - DIPARTIMENTO DI FISICA
Tipologia dell'Ente Other
Paese dell'Ente Italy
Città ROMA
Sito web http://WWW.UNIROMA2.IT

 

Contatto presso l'Ente
E-mail ASSEGNI.RICERCA@AMM.UNIROMA2.IT
Telefono 06 72 59 23 44

 

EU Research Framework Programme
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? No

 

Dettagli per la candidatura
Data di scadenza del bando 30/06/2016 - alle ore 00:00
Come candidarsi http://concorsionline.uniroma2.it/