Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | FP7 E2PHEST2US “Produzione di Energia Termica ed Elettrica con un Sistema Solare basato su Effetto Termoionico e Termoeelttrico” |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | FP7 E2PHEST2US “Enhanced Energy Production of Heat and Electricity by a combined Solar Thermionic-Thermoelectric Unit System” |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | Sviluppo di stadi di emissione termoionica e dispositivi elettronici in diamante CVD e loro ingegnerizzazione |
| Descrizione sintetica in inglese | Development of stages based on CVD diamond thermionic emission and electronic devices and their optimization |
| Data del bando | 24/01/2012 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 27000 |
| Periodicità | Annuale |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/2230_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Laurea in Ingegneria Elettronica. Dottorato in Ingegneria Elettronica (durata minima triennale). Competenza in: fisica ed elettronica dello stato solido; rivelazione di radiazione ionizzante; elettronica applicata. Esperienza nello sviluppo di 1) detector di radiazione ionizzante e dispositivi elettronici basati su semiconduttore ad ampia band-gap e diamante CVD 2) software di gestione, controllo ed acquisizione dati di setup sperimentali. Ottima conoscenza della lingua inglese. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Laurea in Electronic Engineering. PhD in Electronic Engineering (3-years duration). Competences in: solid-state physics and electronics; detection of ionizing radiation; applied electronics. Experience in development of 1) ionizing radiation detectors and electronic devices based on wide band-gap semiconductors and CVD diamond, 2) software for control and data acquisition of experimental setups. Excellent knowledge of English language. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione titoli + colloquio orale. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Evaluation of qualification + oral examination |
| Nome dell'Ente finanziatore | IMIP-CNR |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Monterotondo Scalo (RM) |
| Codice postale | 00015 |
| Indirizzo | Via Salaria km 29.300 |
| Sito web | http://www.imip.cnr.it |
| daniele.trucchi@imip.cnr.it | |
| fulvia.viri@imip.cnr.it | |
| Telefono | 0690672558 |
| Telefono | 0690625446 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
|---|
| Data di scadenza del bando | 08/02/2012 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | direttore.imip@pec.cnr.it |