Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Study of defective states in semiconductors by junction spectroscopy methods |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of defective states in semiconductors by junction spectroscopy methods |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Campo principale della ricerca | Technology |
| Sottocampo della ricerca | Materials technology |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca riguarda l'implementazione e l'aggiornamento di un apparato sperimentale per effettuare spettroscopie di giunzione nei semiconduttori. Questo studio permetterà di ottenere: la densità dei difetti, la loro entalpia di attivazione e la loro cross-section di cattura. Lo studio permetterà di stabilire una relazione tra la presenza di stati difettivi e la performance del semiconduttore e dei dispositivi finali basati su questi materiali. Tutti i materiali che verranno studiati hanno interessanti ricadute applicative. Durante questo lavoro di ricerca verrà mantenuta una stretta collaborazione con i gruppi e i centri di ricerca dove vengono cresciuti e depositati i materiali in vista dell'ottimizzazione del processo di crescita. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research work deals with the implementation and update of the experimental apparatus for junction spectroscopy measurements in semiconductors. This method allows for the study of defect states in semiconductor, it will be applied to different materials- systems: III-Nitride semiconductors and their alloy, Si based thin films, nanostructures. This study will focus on the investigation of the correlation between the defect states and the electrical performance of the semiconductor, which is related to the performance of the final devices. The materials that will be investigated are interesting for their applications, in particular III-N alloys and In reach Nitride alloys are the basis of modern, high mobility and high frequency devices, while Si based thin films and nanostructures will be studied in view of their photovoltaic applications. |
| Data del bando | 18/10/2016 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI FISICA E ASTRONOMIA |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| cavalcoli@bo.infn.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 04/11/2016 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |