Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studi di materiali bidimensionali nanostrutturati nel regime quantum Hall con la tecnica di scanning gate microscopy |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Nanostructured two-dimensional materials in the quantum Hall regime studied by scanning gate microscopy |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | Caratterizzazione degli stati di bordo in grafene ed altri materiali bidimensionali nel regime quantum Hall attraverso la tecnica di scanning gate microscopy |
| Descrizione sintetica in inglese | Edge channel characterization in graphene and other two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime by scanning gate microscopy for applications in quantum interferometry |
| Data del bando | 26/10/2016 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.sns.it/bando/assegno-di-ricerca-la-collaborazione-al-programma-di-ricerca-%E2%80%9Cstudi-di-materiali-bidimensionali-nanostrutturati-nel-regime |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 23464 |
| Valuta | Euro |
| Altri costi in italiano | L'importo lordo dell’assegno, comprensivo di tutti gli oneri a carico dell’Amministrazione, è fissato in € 23.464,00= e sarà erogato al beneficiario in rate mensili posticipate |
| Altri costi in inglese | Gross remuneration, inclusive of all taxes: € 23.464,00 |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Possono presentare domanda i candidati in possesso del diploma di laurea in Fisica, Scienza dei Materiali, Ingegneria Elettronica o Ingegneria dei Materiali, o equipollente, conseguito secondo il previgente ordinamento, ovvero laurea specialistica o magistrale equiparata ai sensi del D.I. 9/7/2009. Potranno partecipare altresì i candidati in possesso di un titolo di studio conseguito all’estero che sia riconosciuto equivalente al predetto titolo italiano ai soli fini dell’ammissione alla selezione; a questo scopo l’eventuale equivalenza dei titoli conseguiti all’estero con il suddetto titolo italiano potrà essere dichiarata dalla commissione giudicatrice di cui all’art.5. Per l’espletamento dell’attività è altresì richiesta la conoscenza della lingua inglese, nonché gradita un’esperienza di almeno tre anni di attività di ricerca attinente alle tematiche oggetto del presente bando. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Applications are invited from candidates who have completed a Master’s degree in Physics, Materials Science, Electronic Engineering, Materials Engineering (in accordance with earlier Italian university regulations, or a second-cycle undergraduate degree as per the interdepartmental decree of 9 July 2009). Candidates who have completed the aforementioned degrees abroad may also apply, if said degrees are recognized as equivalent to Italian degrees. Knowledge of English language is also required to carry out the research activity. PhD in Physics as well as a three-year research experience in the above-mentioned fields are also relevant, but not required |
| Nome dell'Ente finanziatore | Scuola Normale Superiore |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Academic |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56126 |
| Indirizzo | Piazza dei Cavalieri n. 7 |
| Sito web | http://www.sns.it |
| claudia.sabbatini@sns.it | |
| valentina.senesi@sns.it | |
| Telefono | 0039 050 509726 |
| Telefono | 0039 050 509549 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 15/11/2016 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | https://serse.sns.it/it/ |