Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione elettrica e termica di sistemi elettronici bidimensionali - Rif. 258/2016 |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Electrical and thermal characterization of 2D electron systems - Ref.258/2016 |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
| Descrizione sintetica in italiano | I materiali bidimensionali (2D) hanno suscitato grande interesse scientifico nell'ultimo decennio per il loro trasporto elettrico potenzialmente esotico e le prospettive di applicazioni tecnologiche in vari campi. L'obiettivo di questo programma è realizzare e caratterizzare dispositivi ad effetto di campo con materiali 2D selezionati le cui proprietà appaiono particolarmente promettenti: MoS2, FeTe, AuSe, GaSe e diamante drogato B. Fiocchi sottili saranno ottenuti da cristalli via esfoliazione meccanica e contattati con tecniche di micro-fabbricazione standard. Le loro proprietà termiche e morfologiche saranno caratterizzate tramite microscopia a scansione termica e a forza atomica. Dispositivi ad effetto di campo (transistor a doppio strato elettrico) saranno usati per studiare le proprietà di trasporto a doping ultra elevati e a temperature criogeniche e per indurre fasi esotiche come onde di densità di carica e superconduttività. |
| Descrizione sintetica in inglese | Two-dimensional (2D) materials have attracted significant attention from the scientific community in the last decade due to their potential exotic transport physics and prospects for technological applications in various fields. The goal of this programme is to fabricate and characterize field-effect devices from selected 2D materials whose properties appear particularly promising: MoS2, FeTe, AuSe, GaSe and B-doped diamond. Thin flakes will be obtained from bulk crystals via mechanical exfoliation and contacted by standard microfabrication techniques. Their morphological and thermal properties will be characterized via atomic force and scanning thermal microscopies. Field-effect devices in the electric-double-layer transistor configuration will be exploited to characterize their transport properties in ultrahigh doping regimes down to cryogenic temperatures, tuning exotic phases such as superconductivity and charge density waves. |
| Data del bando | 12/12/2016 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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| Paesi di residenza dei candidati |
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| Nazionalità dei candidati |
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| Sito web del bando | http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il bando e la modulistica per partecipare alla valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | To apply for research grants fill out the form available at the following address: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Nome dell'Ente finanziatore | Politecnico di Torino |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Torino |
| Sito web | http://www.polito.it/ |
| ruo.assegnidiricerca@polito.it | |
| Telefono | +39 011 090 6136 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 22/12/2016 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |