Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Ion-irradation indotta Si Nanodot self-assembly per Hybrid SET-CMOS |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Ion-irradation-induced Si nanodot Self-Assembly for Hybrid SET-CMOS |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Studio del trasporto di carica in transistori a singolo elettrone operanti a temperatura ambiente e realizzati in tecnologia CMOS compatibile |
| Descrizione sintetica in inglese | Study of charge transport in single-electron transistors operating at room temperature and realized in CMOS compatible technology |
| Data del bando | 11/01/2017 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Agrate Brianza |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| marco.fanciulli@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 31/01/2017 - alle ore 00:00 |
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