Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | NeuRAM3 - |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | NeuRAM3 – “NEUral computing aRchitectures in Advanced Monolithic 3D-VLSI nano-technologies |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Caratterizzazione elettrica di dispositivi memristivi RRAM per impiego in sistemi di computazione neuromorfica |
| Descrizione sintetica in inglese | Electrical characterization of devices memristivi RRAM for use in neuromorphic computing systems |
| Data del bando | 27/01/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Agrate Brianza |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| sabina.spiga@mdm.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 22/02/2017 - alle ore 00:00 |
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