Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor HEMT di potenza: prestazioni e affidabilità |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | HEMTs for power applications: performance and reliability |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Scopo di questo progetto sono lo studio dei processi fisici che limitano le prestazioni dinamiche e l’affidabilità di transistor HEMT su nitruro di gallio. |
Descrizione sintetica in inglese | The aim of this project is to study the physical processes that limit the dynamic performance and the reliability of high electron mobility transistors on gallium nitride. |
Data del bando | 02/02/2017 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Padova |
Sito web | http://www.dei.unipd.it |
zanoni@dei.unipd.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 17/02/2017 |
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Come candidarsi | Other |