Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Celle ed Architetture di Memoria ad Alta Affidabilità |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | High Reliable Memory Cells and Architectures |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca si pone l’obiettivo di sviluppare innovative strategie per aumentare l’affidabilità di celle ed architetture di memoria, implementati sia in tecnologia scalata al silicio, che in tecnologia emergente di tipo resistivo (RRAMs). Per quanto riguarda gli elementi di memoria in tecnologia scalata al silicio (latch, flip-flop e celle di memoria SRAM), si prevede lo sviluppo di innovative strategie che permettano di diminuire la loro suscettibilità all’effetto combinato di particelle energetiche e fenomeni di invecchiamento (aging) di tipo Bias Temperature Instability (BTI). Per quanto riguarda le RRAMs, verranno identificati (tramite simulazioni elettriche) gli effetti dei guasti dei loro selettori sui valori di tensione/corrente nelle celle di memoria dell’array, e saranno poi sviluppate innovative strategie per individuare la cella RRAM guasta. Verranno infine, sviluppate strategie di riconfigurazione hardware basate sull’utilizzo di celle RRAM ridondanti (spares). |
| Descrizione sintetica in inglese | The goal of the research project is the development of original strategies enabling to increase the reliability of memory cells and memory architectures, implemented either in silicon, or in emergent resistive technology (RRAMs). Regarding memory elements implemented in silicon technology (latch, flip-flop and SRAM cells), original strategies enabling to reduce their susceptibility to the combined effect of energetic particles and aging (due to by Bias Temperature Instability - BTI) will be developed. Regarding RRAMs, the effects of faults affecting their selector on the voltage/current on the cells of the array will be first analyzed (by means of electrical simulations), and then, original strategies to detect a faulty RRAM within the array will be developed. Finally, original hardware reconfiguration strategies, based on the use of spare RRAMs, will be developed. |
| Data del bando | 08/02/2017 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| a.villa@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 23/02/2017 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |