Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor HEMT high power su GaN |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | GaN-based power HEMTs |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Scopo di questo progetto è l’analisi dei processi di intrappolamento di carica e di degrado di transistor HEMT di potenza basati su GaN. L’attività di ricerca sarà di tipo sperimentale,svolta nel contesto del progetto europeo INREL-NPOWER |
| Descrizione sintetica in inglese | The aim of this project is to investigate the charge trapping and degradation processes of GaN-based power HEMTs. The research activity will be experimental, developed within the H2020 project INREL-NPOWER. |
| Data del bando | 28/02/2017 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| gauss@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 16/03/2017 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |