Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor HEMT per applicazioni RF: prestazioni e affidabilità |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | HEMTs for RF applications: performance and reliability |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Scopo di questo progetto sono lo studio dei processi fisici che limitano le prestazioni dinamiche e l’affidabilità di transistor HEMT su nitruro di gallio per applicazioni RF. |
| Descrizione sintetica in inglese | The aim of this project is to study the physical processes that limit the dynamic performance and the reliability of high electron mobility transistors on gallium nitride for RF applications. |
| Data del bando | 28/02/2017 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|
| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 16/03/2017 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |