Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Crescita di nanofili di isolanti topologici tramite epitassia da fasci molecolari - TIN. Bando IOM AR 004/2017 TS |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Molecular Beam Epitaxy growth of v-Vi Topological Insulator Nanowires - TIN. Vacancy call IOM AR 004/2017 TS. |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il vincitore lavorerà alla crescita delle nanostrutture tramite epitassia da fasci molecolari (MBE) e alla loro caratterizzazione morfologica tramite microscopia elettronica ascansione e elettroninca tramite spettroscopia di fotoemissione. I materiali in oggetto saranno il Bi2Te3, il Sb2Te3 e il Bi2Se3. Il focus scientifico sarà orientato allo studio dei meccanismi di crescita in relazione all’ottimizzazione delle proprietà morfologiche, strutturali ed elettroniche delle nanostrutture. Un interesse speciale sarà dedicato alle proprietà elettroniche delle nanoparticelle nel caso di incorporazione diimpurezze magnetiche. L’attività di crescita sarà accompagnata da attività sperimentali con tecniche diverse, specialmente basate sulla luce di sincrotrone in collaborazione con gruppi di ricerca locali e stranieri. |
| Descrizione sintetica in inglese | The successful candidate will work at the growth of the nanostructures by molecular beam epitaxy (MBE), and at their morphological characterization by scanning electrical microscopy and at their electronic characterization by photoelectron spectroscopy. The material systems will include Bi2Te3, Sb2Te3 and Bi2Se3. The scientific focus will be on the on the growth mechanism of the nanostructure, and on the optimisation of the nanostructure morphological, structural and electronic properties. Special interest will be devoted to the nanostructure electronic properties following the incorporation of magnetic impurities. The growth activity will be complemented by means of experiments with other experimental techniques, especially synchrotron radiation based, in collaboration with local and international research groups. |
| Data del bando | 31/03/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/7144_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Assessment of the titles and interview. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature conformi a quanto previsto dal bando IOM AR 004/2017 TS, il giorno 22 maggio 2017 alle ore 15 presso la Sede di Trieste dell’Istituto IOM, Area Science Park–Basovizza, Ed. MM Strada Statale14 Km 163.5 – 34149 Trieste, Italy. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for applications submitted in conformity with vacancy call IOM AR 004/2017 TS, on May 22, 2017, at 3:00 p.m., at Area Science Park–Basovizza, Ed. MM Strada Statale14 Km 163.5 – 34149 Trieste, Italy. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Officina dei Materiali (IOM) |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Trieste |
| Codice postale | 34149 |
| Indirizzo | Area Science Park–Basovizza, Ed. MM Strada Statale14 Km 163.5 – 34149 Trieste, Italy. |
| Sito web | http://www.iom.cnr.it/ |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 03/05/2017 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |