Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | WInSiC4AP (intervallo di banda larga gap innovativo per alimentazione avanzata) H2020-ECSEL-2016-1-RIA |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | WInSiC4AP (Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power) H2020-ECSEL-2016-1-RIA |
| Settore Concorsuale | 03 - Scienze chimiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Sintesi di dielettrici innovativi tramite Atomic Layer Deposition su substrati semiconduttori ad ampia banda proibita |
| Descrizione sintetica in inglese | Synthesis of innovative dielectrics through Atomic Layer Deposition on Wide Band Broadband Semiconductors |
| Data del bando | 27/04/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Catania |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| raffaella.lonigro@imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 18/05/2017 - alle ore 00:00 |
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