Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | 3C-SiC Hetero-epitaxiallly cresciuto su substrati di compatibilità del silicone e substrati 3C-SiC per i dispositivi powEr a banda larga di Gap |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | “3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices (CHALLENGE)” |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Drogaggio elettrico di 3C-SiC mediante la tecnologia di impiantazione ionica: disegno, fabbricazione e caratterizzazione di dispositivi di prova |
| Descrizione sintetica in inglese | 3C-SiC electrical dispensing using ion implantation technology: design, manufacture and characterization of test devices |
| Data del bando | 22/06/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| direzione@bo.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 13/07/2017 - alle ore 00:00 |
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