Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Circuiti di commutazione e instradamento in Nitruro di Gallio |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Gallium Nitride switching and commutation circuits |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Lo studio prevede l'analisi delle topologie e delle architetture che realizzino switch ad alta frequenza caratterizzati da un basso insertion loss ed elevate velocità di commutazione. I circuiti risultanti dovranno essere realizzati su GaN. |
| Descrizione sintetica in inglese | The study foresees the analysis of topologies and architectures realizing high frequency switches characterized by low insertion loss and high speed switching. The resulting circuits should be realized on GaN. |
| Data del bando | 06/07/2017 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.uniroma2.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI ROMA |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | roma |
| Sito web | http://www.uniroma2.it |
| ASSEGNI.RICERCA@AMM.UNIROMA2.IT | |
| Telefono | 06 72 59 23 44 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 26/07/2017 |
|---|---|
| Come candidarsi | HTTP://CONCORSIONLINE.UNIROMA2.IT/ |