Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione e modellizzazione del campo di deformazione generato da nanostrutture di Ge (o leghe SiGe) su substrati convenzionali e membrane |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Simulation and modeling of the deformation field induced by Ge (or, SiGe) nanostructures on conventional substrates and membranes |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | all'interno del progetto DEFCON4 (Nanostrutture per la deformazione controllata di strati e membrane di semiconduttori gruppo IV), il gruppo teorico (e quindi l'assegnista stesso) avrà un duplice compito. Da un lato, si tratterà di simulare i campi di deformazione associati alle nanostrutture di SiGe realizzate presso il laboratorio L-NESS di Como, confrontando i risultati con le misure Raman effettuate presso il Dipartimento di Scienza dei Materiali dell'Università di Milano-Bicocca. Dall'altro dovrà suggerire forma e taglia ideali delle nanostrutture al fine del conseguimento degli obiettivi del progetto (elevata deformazione in grado di migliorare le proprietà elettroniche e ottiche di germanio e silicio). Gli studi necessari allo scopo si baseranno sia su approcci continui (teoria elastica risolta tramite metodi ad elementi finiti) sia atomistici. L'assegnista potrà sfruttare la vasta esperienza teorico/modellistica presente all'interno del gruppo di ricerca. |
| Descrizione sintetica in inglese | within the DEFON4 project (Nanostructures for the controlled deformation of layers and membranes of group-IV semiconductors), the theoretical group (and, thus, the winner of the present grant) shall follow a twofold objective. On one side, it is required to simulate the deformation fields induced by the SiGe nanostructures produced at the Como L-NESS laboratory, comparing results with Raman measurements taken at the Materials Science Department of the University of Milano-Bicocca. On the other, the group shall suggest ideal nanostructures' shape and size in order to complete the project milestones (strong deformation, able to increase electronic and optic properties of gemranium and silicon). The required investigations will be based on both continuum approaches (elasticity theory solved by FEM) and atomistic simulations. http://www.unimib.it/link/news.jsp?296018219430333823 The winner of the grant will be able to exploit the wide experience of the group in modeling and simulations. |
| Data del bando | 09/02/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unimib.it/link/news.jsp?296018219430333823 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università Milano Bicocca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | https://www.unimib.it |
| bandi.assegni_borse@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 05/03/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |