Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | “Progettazione e fabbricazione di sensori laser THz accordabili in frequenza per diagnostica in campo aerospaziale” prgetto SCIADRO Bando FAS 2014 REg. Toscana - Bando NANO AR 007-2017 PI |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | nanofabrication and electrical characterization of tunable THz quantum cascade lasers - project SCIADRO (Reg. Toscana) CALL NANO AR 007/2017 PI |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Applied physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Nano-fabbricazione e caratterizzazione elettrica di sensori laser a cascata quantica accordabili in frequenza operanti a frequenze THz |
| Descrizione sintetica in inglese | nanofabrication and electrical characterization of tunable THz quantum cascade lasers |
| Data del bando | 19/07/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 2 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/7346_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Valutazione dei titoli e prova colloquio - Laurea in Fisica, o in Scienze dei Materiali, o in Ingegneria Elettronica o in materie affini e Dottore di Ricerca, di durata minima triennale, in Fisica, o in Scienze dei Materiali, o in Ingegneria Elettronica o in materie affini. - curriculum scientifico nel settore della fabbricazione di dispositivi, caratterizzazione ottica ed elettrica e della fotonica; - Comprovate conoscenze informatiche per trattamento analisi dati e simulazioni numeriche - buona conoscenza della lingua inglese (da valutarsi in sede di colloquio) - conoscenza di base della lingua italiana (per i candidati stranieri) |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Assessment of the titles and interview. •Master Degree in Physics, or in Material Science, or in Electronic Engineering or in connected subjects; •PhD in Physics, or in Material Science, or in Electronic Engineering or in related subjects; •Scientific background in device fabrication, optical and electrical characterisation and photonics; •competences in informatics, data analysis and numerical simulations •knowledge of English •Basic knowledge of Italian language (for foreign applicants). |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature ammesse,il giorno 8 settembre 2017 alle ore 11:00 presso la Sede di Pisa dell’Istituto NANO, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for accepted applications, on September 8, 2017, at 11:00 a.m. , at CNR’s Nanoscienze Institute of Pisa, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Nanoscienze |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 25/08/2017 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |