Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio delle eccitazioni plasmoniche in grafene e sviluppo di fotorivelatori TeraHertz basati su plasmoni in grafene |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Plasmon excitations in graphene and plasmon-based graphene Terahertz photodetectors |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività sperimentale si concentrerà sullo studio delle eccitazioni di bassa energia sia nel monostrato di grafene che in sistemi di grafene a pochi strati come i doppi strati cristallini ed i doppi strati “ruotati” (disaccoppiati). Verranno effettuati studi approfonditi delle peculiari dispersioni plasmoniche in questi sistemi, sia nel caso “bulk” che in presenza di confinamento quantistico, mettendo in risalto le differenze principali rispetto ai liquidi di elettroni ordinari in eterostrutture a semiconduttore. Ulteriore obiettivo della attività sarà quello di realizzare il mattone fondamentale di una nuova classe di dispositivi optoelettronici basati sulle risonanze di plasma e funzionanti come rivelatori THz ultraveloci per operazioni a temperatura ambiente. |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity will focus on the study of low-energy plasmonic excitations both in monolayer graphene and in few-layer graphene systems such as crystalline graphene bilayers and twisted (i.e. decoupled) double-layer graphene. Extensive studies of the peculiar dispersion of plasmon excitations will be carried out in these systems, both in bulk systems and in the presence of quantum confinement, highlighting the main differences with respect to parabolic-band electron liquids in ordinary semiconductors. An additional goal of this activity will be that of creating the building block of a novel class of optoelectronic devices based on plasma resonances and functioning as ultrafast THz detectors for room temperature operations. |
| Data del bando | 14/02/2012 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/2278_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | valutazione dei titoli e colloquio, per le candidature presentate in conformità a quanto previsto dal bando NANO AR 001/2012 PI (http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/2278_DOC_IT.pdf) |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | assessment of the titles and interview, for applications submitted in accordance with the call NANO AR 001/2012 PI (http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/2278_DOC_IT.pdf) |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | colloquio il 30/3/2012 ore 11:00 presso Istituto NANO - Piazza San Silvestro 12 - 56127 PISA |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | interview 30/3/2012 at 11:00 a.m. at Istituto NANO - Piazza San Silvestro 12 - 56127 PISA |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - ISTITUTO NANOSCIENZE (NANO) |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | PISA |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 15/03/2012 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |