Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Modellistica, caratterizzazione e simulazione TCAD di Carbonio Diamond-Like ed applicazione su diodi di potenza ad alte tensioni di rottura |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Modeling, Characterization and TCAD simulation of Diamond-Like Carbon for power diodes with elevated breakdown voltages |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Questo progetto è focalizzato sullo studio delle proprietà del trasporto di carica del carbonio diamond-like (DLC) su intervalli estesi di campi elettrici e temperature. Il DLC è stato recentemente proposto come strato di passivazione semi isolante con proprietà di schermo di campo per circuiti integrati ad alta tensione basati sulla tecnologia planare. Lo studio proposto chiarirà il ruolo della struttura elettronica del semiconduttore e dei difetti localizzati sulla conducibilità del materiale. Obiettivo del progetto sarà lo sviluppo di strumenti efficienti per la simulazione TCAD predittiva di dispositivi HV e terminazioni che utilizzano strati di passivazione in DLC. A tale proposito verrà sviluppato un modello fisico compatibile con lo strumento TCAD Synopsys SDevice basato sulle misure effettuate su dispositivi di test che utilizzano strati DLC di diversi spessori e substrati di silicio con diverse resistività. |
| Descrizione sintetica in inglese | This project is focused on the investigation of Diamond-Like Carbon (DLC) charge transport properties over extended ranges of electric fields and temperatures. The DLC material has been recently proposed as a semi-insulating field shield in the passivation of high-voltage ICs using planar technology. The proposed study shall elucidate the role of the semiconductor electronic structure and localized defects on the material conductivity. The aim of this project will be the development of practical tools enabling predictive TCAD simulations of HV devices and terminations accounting for DLC layers on top. In this respect, a physics-based model will be developed in the frame of the Synopsys SDevice TCAD tool on the basis of measurements on test chips using different DLC thicknesses and silicon substrate resistivity. |
| Data del bando | 13/10/2017 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| alessandro.bevilacqua@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 03/11/2017 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |