Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | 120/2017 - Ingegnerizzazione delle proprietà ottiche di punti quantici semiconduttori attraverso perturbazioni esterne |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Engineering the optical properties of semiconductor quantum dots via external perturbations |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | I punti quantici semiconduttori (QD) sono nanostrutture formate da diversi migliaia di atomi che è possibile creare usando tecniche di crescita epitassiale. Nonostante gli enormi progressi nel campo della fabbricazione dei QD, la natura casuale dei processi di crescita non permette di avere il controllo completo sulle proprietà di questi “atomi artificiali”. In questo progetto, ci si propone di utilizzare perturbazioni esterne (in particolare campi elettrici e di stress generati da appositi dispositivi basati sulla tecnologia a semiconduttore-piezoelettrico), per controllare le proprietà ottiche ed elettroniche dei QD. Tali dispositivi saranno studiati a temperature minori di 10 K tramite tecniche di micro-fotoluminescenza. |
| Descrizione sintetica in inglese | Semiconductor quantum dots (QDs) are nanostructures made of several thousands of atoms that can be created using hetero-epitaxial growth techniques. In spite of the remarkable progress in QD fabrication, the random nature of the growth processes does not allow the properties of these “artificial atoms” to be fully controlled. In this project, we aim at using external perturbations (in particular electric and stress fields provided by semiconductor-piezoelectric devices) to achieve full control over the electronic and optical properties of QDs. The devices will be investigated at temperature below 10 K by means of micro-photoluminescence spectroscopy |
| Data del bando | 18/12/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 22.860 |
| Periodicità | annuale |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://web.uniroma1.it/trasparenza/dettaglio_bando/92335 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22.860 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Proprietà ottiche dei semiconduttori, nanostrutture, micro-fotoluminescenza |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Optical properties of semiconductors, nanostructures, micro-photoluminescence |
| Nome dell'Ente finanziatore | Sapienza Università di Roma |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | roma |
| Codice postale | 00185 |
| Indirizzo | P.le Aldo Moro 5 |
| Sito web | http://www.phys.uniroma1.it/fisica/ |
| assegnidiricercafisica@uniroma1.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020/Erc |
|---|
| Data di scadenza del bando | 17/01/2018 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | assegnidiricercafisica@uniroma1.it |