Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione elettrica di sistemi elettronici bidimensionali a temperature criogeniche riservato ai candidati che abbiano conseguito il Dottorato di ricerca in una data non antecedente al 1/01/2015- Bando D.D.G 42/2018 - Cod. Int. 02/18/F/AR-B |
---|---|
Titolo del progetto di ricerca in inglese | Cryogenic-Temperature Electrical Characterization of Two-Dimensional Electronic Systems reserved to candidates who have obtained the PhD degree not prior to January 1 2015 - REF D.D.G. 42/2018 - Cod. Int. 02/18/F/AR-B |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo del programma è realizzare e caratterizzare dispositivi ad effetto di campo con materiali 2D aventi proprietà particolarmente promettenti: diamante drogato B, AuSe, film ultrasottili di Nb e NbN, superconduttori a base Fe, grafene bilayer orientato, grafite intercalata con metalli alcalini. Campioni sottili saranno ottenuti da cristalli per esfoliazione meccanica, mentre film sottili saranno realizzati con tecniche di crescita allo stato dell’arte. Le loro proprietà elettroniche e morfologiche saranno caratterizzate usando microscopia STM e AFM. Dispositivi ad effetto di campo (realizzati mediante micro-fabbricazione) saranno usati per studiare le proprietà di trasporto a doping ultra elevati e a temperature criogeniche, e per indurre nuove fasi come onde di densità di carica e superconduttività. L’intercalazione con ioni alcalini assistita dal campo elettrico verrà anche sfruttata per potenziare la modulazione del drogaggio. |
Descrizione sintetica in inglese | The goal of this programme is to fabricate and characterize field-effect devices from selected 2D materials whose properties appear particularly promising: B-doped diamond, AuSe, Nb and NbN ultrathin films, Fe-based superconductors, twisted bilayer graphene, alkali-intercalated ultrathin graphite. Thin flakes will be obtained from bulk crystals via mechanical exfoliation, while thin films will be realized via state-of-the-art growth techniques. Their morphological and electronic properties will be characterized via atomic force and scanning tunnel microscopies. Field-effect devices (obtained by standard microfabrication techniques) will be exploited to characterize their transport properties in ultrahigh doping regimes down to cryogenic temperatures, tuning new phases such as superconductivity and charge density waves. Field-assisted alkali-ion intercalation will be also employed on selected materials to enhance the doping modulation. |
Data del bando | 15/01/2018 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
---|---|
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il bando e la modulistica per partecipare alla valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | To apply for research grants fill out the form available at the following address: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
Nome dell'Ente finanziatore | Politecnico di Torino |
---|---|
Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Torino |
Sito web | http://www.polito.it/ |
ruo.assegnidiricerca@polito.it | |
Telefono | +39 011 090 6136 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
---|
Data di scadenza del bando | 25/01/2018 - alle ore 00:00 |
---|---|
Come candidarsi | Other |