Bando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | IONS4SET - |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | IONS4SET – “Ion-irradation-induced Si nanodot Self-Assembly for Hybrid SET-CMOS” |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Studio del trasporto di carica in transistori a singolo elettrone operanti a temperatura ambiente e realizzati in tecnologia CMOS compatibile |
| Descrizione sintetica in inglese | Study of charge transport in single-electron transistors operating at room temperature and realized in CMOS compatible technology |
| Data del bando | 19/01/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Agrate Brianza |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| amministrazione@mdm.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
|---|
| Data di scadenza del bando | 09/02/2018 - alle ore 00:00 |
|---|