Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Selettori per array di memoria in architettura integrata di tipo 1S1R |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Selectors for memory arrays in 1S1R integrated architectures |
Campo principale della ricerca | Engineering |
Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | I calcogenuri Ovonici e a cambiamento di fase sono stati approfonditamente studiati negli ultimi dieci anni per sfruttarne le potenziali applicazioni ad array di memorie. Recentemente, memorie cross-point tridimensionali sono state presentate da importanti industrie di semiconduttori. L’aspetto più critico e più importante di questo tipo di memorie è rappresentato dalla corretta corrispondenza fra le proprietà di un selettore a due terminali e quelle del bit da esso controllato (architettura 1S1R). Fino ad oggi la modellistica del selettore è stata derivata da quella del bit di memoria per strutture indipendenti, e non come un blocco funzionale di una unità complessa. Con questo progetto ci si propone di sviluppare uno strumento simulativo che consideri selettore e bit di memoria in forma integrata, permettendone così lo studio nelle condizioni più simili possibili a quelle di fabbricazione. |
Descrizione sintetica in inglese | Ovonic and phase-change chalcogenides have extensively been studied in the last decade in view of their use in memory arrays and, recently, leading semiconductor companies have announced three-dimensional cross-point memories. The key point of these memories is represented by intimate property matching between a two-terminal selector and the controlled memory bit (1S1R architectures). To date, numerical simulations of the selector have been derived from those proposed for the memory and carried on independently; the selector is never intended as a functional building block of a more complex unit. This project aims at developing a simulative tool that considers these two building blocks as part of the same device, thus enabling the simulation of realistic geometries close to those announced by manufacturers. |
Data del bando | 07/03/2018 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI" |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Bologna |
Sito web | http://www.unibo.it |
a.villa@unibo.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 22/03/2018 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |