Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione delle proprietà optoelettroniche di LED nanometriche al nitruro di gallio |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Simulation of optoelectronic properties of nanometer sized GaN based LEDs |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo della ricerca è di simulare il trasporto elettronico, l'emissione spontanea e le proprietà ottiche in nanostrutture InGaN/GaN, come nanocolonne o nanofins. Le simulazioni richiedono un modello 3D del nano emettitore. Durante il progetto saranno da implementare modelli adeguati per il calcolo dell'emissione spontanea in sistemi 3D. Inoltre saranno da migliorare e stabilizzare gli approcci numerici per il calcolo in parallelo del trasporto su sistemi grandi. L'estrazione della luce prodotta nei layer attivi dei dispositivi sara' calcolata con approcci full wave (FDTD) o ray tracing. |
| Descrizione sintetica in inglese | The objective of the research activity will be to simulate electronic transport, light generation by spontaneous emission and the optical properties of InGaN/GaN based nanostructures like nanorods and nanofins. The simulation require a 3D modeling approach. The activity includes definition of suitable models for spontaneous emission in 3D devices, and the study of approaches to improve and stabilize the transport equations for large scale parallel computations. Light extraction will be modelled using full wave approaches (FDTD) and ray tracing. |
| Data del bando | 29/03/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.uniroma2.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | università degli stui di roma tor vergata - dipartimento di ingegneria elettronica |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | roma |
| Sito web | http://www.uniroma2.it |
| assegni.ricerca@amm.uniroma2.it | |
| Telefono | 0672592344 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 18/04/2018 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | http://concorsionline.uniroma2.it/ |