Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Analisi delle prestazioni e dei fenomeni parassiti in GaN HEMTs dispositivi su SiC per applicazioni di potenza |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Performances and Parassitice effect evaluation of GaN HEMTs and SiC based devices for power applications |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca sarà mirata alla caratterizzazione dei fenomeni parassiti dovuti all’intrappolamento di carica nei dispositivi in nitruro di gallio (GaN HEMTs) e in Carburo di Siclicio (SiC) per applicazioni di potenza. Inoltre verranno studiati i meccanismi che governano il breakdown in questi dispositivi per meglio capire come poter aumentare le prestazioni in termine di bloccaggio di corrente ad alte tensioni. Verranno sviluppati sistemi di misura adeguati per poter ottenere le informazioni necessarie per l’attività di ricerca sopra descritta. L’Assegnista svolgerà attività di ricerca anche nell’ambito del progetto ECSEL WinSiC4AP |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activities will be focussed to the characterization of parasitic phenomena due to the charge trapping in the gallium nitride based devices (GaN HEMTs) and in Silicon Carbide devices for power switching applications. Mechanisms that govern the breakdown in these devices will also be studied in order to better understand how to increase the performance in terms of blocking current at high voltages. Suitable measurement systems will also be developed in order to obtain the information necessary for the research described above. The researcher will also be involved in the activity of the ECSEL project WinSiC4AP |
| Data del bando | 04/04/2018 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| gauss@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 20/04/2018 |
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| Come candidarsi | Other |