Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo e test di fotodiodi a valanga di nuova concezione per raggi X ad alta velocità e basso rumore basati su semiconduttori composti di tipo III-V’ |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development and test of novel, high-speed, low-noise X-ray Avalanche Photodiode based on III-V compound semiconductors |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/07 - FISICA APPLICATA (A BENI CULTURALI, AMBIENTALI, BIOLOGIA E MEDICINA) |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto mira a sviluppare e convalidare nuovi rivelatori ultraveloci basati su APD costituiti da strati epitassiali di semiconduttori composti di tipo III-V (GaAs / AlGaAs) in grado di operare da THz a raggi X duri. In particolare per applicazioni esigenti utilizzando sorgenti di sincrotrone, FEL e nel campo dell'imaging medico. Compiti: Lo sviluppo dell'elettronica di lettura analogica e digitale e l'accurata simulazione e test dei nuovi APD. Gli APD saranno caratterizzati usando diverse fonti di radiazioni estreme, che includono la luce visibile da laser pulsati focalizzati e raggi X generati da sincrotrone e FEL. Il candidato deve possedere una profonda conoscenza nel campo dello sviluppo di rivelatori a semiconduttore multicanale e dell'architettura associata di sistema di un’elettronica di lettura altamente parallela. Ciò include lo sviluppo e la progettazione di schede per circuiti stampati, meccanica associata e firmware FPGA e programmazione di acquisizione dati |
| Descrizione sintetica in inglese | The project aims to develop and validate new ultra-fast detectors based on APDs made of epitaxial layers of III-V compound semiconductors capable of operating from THz to hard X-rays.demanding applications utilizing synchrotron sources, FELs and in the field of medical imaging.the candidate will be the development of the analogue and digital readout electronics and the thorough simulation and testing of the new APDs. The APDs will be characterized using different extreme radiation sources, which include visible light from focused pulsed lasers and X-rays generated by synchrotrons and FELs. The candidate should have a deep knowledge in the field of multi channel semiconductor detector development and the associated system architecture of highly parallel readout electronics. This includes development and design of printed circuits boards, associated mechanics as well as FPGA firmware and data acquisition programming |
| Data del bando | 28/06/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://web.units.it/concorsi/ricerca/assegni-ricerca/pub |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Importo annuale | 24426 |
| Valuta | Euro |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 16 |
| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Trieste |
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| Tipologia dell'Ente | Academic |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Trieste |
| Sito web | http://www.units.it |
| concorsidoc@amm.units.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 27/07/2018 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |