Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | SIMULAZIONE DI DISPOSITIVI E LORO REALIZZABILITA' |
| Descrizione sintetica in inglese | Device simulation and reliability (radiation hardness) |
| Data del bando | 04/07/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Importo annuale | 22000 |
| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | CATANIA |
| Codice postale | 95121 |
| Indirizzo | STRADA VIII, 5 |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| amm@imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
|---|
| Data di scadenza del bando | 30/07/2018 - alle ore 00:00 |
|---|