Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sintesi di nanofili del tipo III-V e fabbricazione di dispositivi a nanofili -Prg SUPERTOP - NANO AR 005-2018 PI |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Synthesis of III-V nanowires and fabrication of nanowire- based devices- -Prj SUPERTOP - CALL NANO AR 005-2018 PI |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca dell’assegnista vertera’ sulla sintesi di nanofili a semicodnutttore utilizzando la tecnica CBE e la fabbricazione di nanodispositivi a nanofilo e la loro caratterizzazione elettrica a temperatura ambiente e a bassa temperatura. |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity of the post-doc will focus on the synthesis of semiconductor nanowires by CBE and on the fabrication of nanowire-based devices and their electrical characterization at room and low temperature. |
| Data del bando | 07/09/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/8165_DOC_EN.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Valutazione dei titoli e colloquio - diploma di laurea in Fisica e materie affini e titolo di dottore in Fisica di ricerca di durata minima triennale -esperienza in attivita' di fabbricazione e caratterizzazione elettrica di nanostrutture di semiconduttori, dichiarato con le modalità di cui all’art. 4; - conoscenza della lingua inglese; - conoscenza della lingua italiana |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
descrizione) titles evalautiona and interview • Degree in Physics and PhD in Physics; • Experience in fabrication and electrical characterization of semiconductor nanotructures; •Good level of English and some knowledge of Italian. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | La prova colloquio, per i candidati ammessi, avrà luogo il giorno 10 Ottobre 2018 alle ore 11.00 presso la Sede di Pisa dell’Istituto NANO, Piazza San Silvestro 12 |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will be held on October 10th, at 11.00 a.m (local time), c/o Nano Institute, Piazza San Silvestro 12, Pisa (IT) |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR Istituto Nanoscienze |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 26/09/2018 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |