Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | “Deposizione inkjet di inchiostri di nano-flakes a base di dicalcogenuri di metalli di transizione- Prog. MELODICA Bando FLAG ERA II - Bando SPIN AR 008-2018 GE |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Revealing the potential of transition metal dichalcogenides for thermoelectric applications through nanostructuring and confinement- Prj MELODICA-FLAG-ERAII- CAll SPIN AR 008-2018 GE |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Chemical physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività dell’assegnista è intesa a studiare ed ottimizzare la deposizione inkjet di inchiostri di nano-flakes. Egli/ella seguirà l’intero processo di stampa ink-jet, coi seguenti compiti: identificazione delle composizioni degli inchiostri, individuazione dei requisiti sulle proprietà degli inchiostri, selezione di substrati adatti, interazione con la terza parte che prepara inchiostri in un feedback fabbricazione-caratterizzazione, deposizione attraverso differenti metodi (stampa inkjet, drop-casting, altro), caratterizzazione microstrutturale dei depositi mediante microscopia a forza atomica ed microscopia elettronica a scansione, patterning. Egli/ella sarà anche coinvolto/a nella caratterizzazione di proprietà di trasporto elettrico, termoelettrico e termico dei pattern di nano-flakes. Egli/ella lavorerà in autonomia, previa appropriata formazione. |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity of the Research Fellow is supposed to study and optimize the inkjet deposition of nanoflake inks. He/she will follow the whole ink-jet printing process with the following tasks: identification of ink compositions, definition of the requirements on ink properties, selection of suitable substrates, interaction with the third party which prepares inks with preparation-characterization feedback, deposition via different methods (inkjet printing, drop casting, other), microstructural characterization of deposits via atomic force microscopy and scanning electron microscopy, patterning. He/she will be also involved in the characterization of electric, thermoelectric and thermal transport of nano-flake patterns. He/she will work in autonomy, upon proper training. |
| Data del bando | 13/09/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/8184_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
a) diploma di laurea in fisica, chimica, scienze dei materiali, ingegneria chimica o materie equivalenti b) conoscenza della lingua inglese; c) conoscenza della lingua italiana (solo per i candidati stranieri) d) per la partecipazione alla selezione non è necessario aver maturato specifiche competenze. Tuttavia sarà valutato positivamente l’aver già acquisito esperienza nella sintesi e/o caratterizzazione di materiali, in tecniche di stampa tramite deposizione da fase liquida o uso di paste per elettronica o nella preparazione e caratterizzazione di inchiostri o paste per elettronica stampata. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
QUALIFICATIONS AND EXPERIENCE REQUIRED: • Master degree in physics, chemistry, material science, chemical engineering or equivalent subjects; • application to this call does not require having specific expertise. However, previous experience in the synthesis and characterization of materials, in printing techniques for deposition from liquid phase or use of pastes for electronics or else in preparation and characterization of inks or pastes for printed electronics will be positively evaluated; • good level of English and some knowledge of Italian. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | La prova colloquio, per i candidatiselezionati, avrà luogo il giorno 16 novembre 2018 alle ore 10:00 presso la sede dell’Istituto SPIN C/o Dipartimento di Fisica dell’Università degli Studi di Genova, Via Dodecaneso 33 |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will be held on November 16th 2018 at 10.00 a.m. (local time), Physics Dpt of Genoa’s Univesity, Via Dodecaneso 33, 16146 Genova |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - SPIN |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | GENOVA |
| Sito web | http://www.spin.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 31/10/2018 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |