Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Bando 144/2018 - Realizzazione e caratterizzazione di strutture a punto quantico e circuiti ottici su semiconduttori |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Bando 144/2018 Fabrication and characterization of quantum dot structures and optical circuits based on semiconductors |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
Descrizione sintetica in italiano | Verranno realizzate sorgenti di singolo fotone e circuiti ottici su chip, con l’obiettivo di sfruttare questi elementi per la generazione e la trasmissione dei fotoni in maniera temporalmente deterministica e sicura. La fabbricazione delle strutture si avvarrà delle proprietà dell’idrogeno di modificare la banda proibita e l’indice di rifrazione di eterostrutture semiconduttrici InGaAsN/GaAs. In particolare, i campioni verranno irraggiati con idrogeno in modo spazialmente selettivo sfruttando la litografia elettronica. Le proprietà ottiche delle nano- e micro-strutture così realizzate saranno studiate mediante spettroscopia di luminescenza e di auto-correlazione. Enfasi verrà data a sorgenti operanti a 1.31 micron per le telecomunicazioni su fibra ottica. |
Descrizione sintetica in inglese | We will produce single photon sources and optical circuits aiming at the exploitation of these building blocks for the generation and transmission of photons in a time-deterministic and intrusion-free manner. The fabrication of the above structures will rely on the capability of hydrogen to modify the band gap energy and refractive index of semiconductor heterostructures based on the InGaAsN/GaAs system. In particular, the properties of the samples will be H-modified in a spatially-controlled fashion by electron lithography. The optical properties of the nano/micro-structures so obtained will investigated by luminescence spectroscopy and auto-correlation measurements. Special emphasis will be given to sources operating at 1.31 m for optical fiber telecom |
Data del bando | 01/10/2018 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Stanziamento annuale (indicativo) | 19367 |
Periodicità | annuale |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
Sito web del bando | https://web.uniroma1.it/trasparenza/dettaglio_bando/130572 |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
Importo annuale | 19367 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | no |
Comprende il costo della ricerca | no |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Fisica dello stato solido, ottica, caratterizzazione e processing di materiali semiconduttori |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Solid state physics, optics, semiconductor material characterization and processing |
Nome dell'Ente finanziatore | università La Sapienza |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Rome |
Codice postale | 00185 |
Indirizzo | p.le Aldo Moro 2 |
Sito web | https://www.uniroma1.it/it/ |
assegnidiricercafisica@uniroma1.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 31/10/2018 |
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