Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo e test di fotodiodi a valanga di nuova concezione per raggi X ad alta velocità e basso rumore basati su semiconduttori composti di tipo III-V” nell’ambito del Progetto di ricerca MIUR PRIN 2015 |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development and test of novel, high-speed, low-noise X-ray Avalanche Photodiode based on III-V compound semiconductors |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | FIS/07 - FISICA APPLICATA (A BENI CULTURALI, AMBIENTALI, BIOLOGIA E MEDICINA) |
Descrizione sintetica in italiano | Si svilupperà e convaliderà nuovi rivelatori ultraveloci basati su APD costituiti da strati epitassiali di semiconduttori composti di tipo III-V (in grado di operare da THz a raggi X duri.Gli APD saranno caratterizzati usando diverse fonti di radiazioni estreme, che includono la luce visibile da laser pulsati focalizzati e raggi X generati da sincrotrone e FEL. Si chiede una buona conoscenza nel campo della crescita dei semiconduttori,delle basi nello sviluppo del rivelatore e della relativa elettronica di lettura ed un’ottima predisposizione al lavoro di gruppo.Dovrà seguire tutte le attività di laboratorio dalla fabbricazione del sensore APD e la sua integrazione elettronica con test sperimentali, che includono il confronto approfondito dei dati misurati con la simulazione del dispositivo |
Descrizione sintetica in inglese | The project aims to develop and validate new ultra-fast detectors based on APDs made of epitaxial layers of III-V compound semiconductors (GaAs / AlGaAs) capable of operating from THz to hard X-rays.The APDs will be characterized using different extreme radiation sources, which include visible light from focused pulsed lasers and X-rays generated by synchrotrons and FELs. The candidate should have a good knowledge in the field of growth of semiconductors, basics in detector development and the associated readout electronics. The candidate will work in a team with the task of following all laboratory activities from the APD sensor fabrication and its electronics integration to experimental tests, which include the thorough comparison of measured data with device simulation |
Data del bando | 24/10/2018 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | http://web.units.it/concorsi/ricerca/assegni-ricerca/pub |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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Importo annuale | 23204 |
Valuta | Euro |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Trieste |
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Tipologia dell'Ente | Academic |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Trieste |
Sito web | http://www.units.it |
concorsidoc@amm.units.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 23/11/2018 |
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Come candidarsi | Other |