Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | SPRINT Strumentazione di ricerca per la misura della polarizzazione di spin nel dominio della nanoscala e del tempo |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | SPRINT Spin Polarization Research instrumentation in the Nanoscale and Time Domain |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | I vincitori svolgeranno le attività di ricerca presso la facility NFFA_SPRINT di Trieste e presso il cluster NFFA di crescita e caratterizzazione. Posizione A In particolare, il lavoro di ricerca sarà dedicato: allo studio delle proprietà elettroniche e magnetiche (statiche e dinamiche) di interfacce ferromagnetiche/ferroelettriche ed allo sviluppo di esperimenti di spettroscopia magnetica con microfocus (anche presso large scale facility ) e optical magnetic switching . Posizione B: In particolare, il lavoro di ricerca sarà dedicato: allo studio delle proprietà elettroniche e magnetiche (statiche e dinamiche) di sistemi ferromagnetici a dimensionalità ridotta, dicalcogenuri di metalli di transizione e loro interfacce utilizzando tecniche di radiazione di sincrotrone e sorgenti laser |
| Descrizione sintetica in inglese | The successful candidates will contribute to the development of the NFFA_SPRINT facility and of the NFFA_cluster of growth and characterization. Pos. A: she/he will work on the study of electronic and magnetic properties (both static and ultrafast) of ferromagnetic/ferroelectric interfaces and on the development of magnetic spectroscopy experiments with microfocus (also at large scale facilities) and optical magnetic switching. Pos. B: she/he will work on the study of electronic and magnetic properties (both static and ultrafast) of low dimensional ferromagnetic systems, transition metal di-chalcogenides and their interfaces, by means of synchrotron-based techniques and laser sources. |
| Data del bando | 12/11/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 2 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/8349_DOC_EN.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 32000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 24 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
POSIZIONE A - requisiti richiesti: -Laurea in Discipline Scientifiche; -Phd di durata minima triennale, in Fisica o Scienza dei Materiali o Fisica della Materia Condensata o materie affini; - Minimo 3 anni di esperienza di ricerca scientifica post-dottorale. E’ richiesta inoltre: -Conoscenza ed esperienza nelle tecniche di chemisorbimento ed interfacce con metalli; - Esperienza di microscopia/spettroscopia a scansione; - Esperienza nella caratterizzazione elettrica/magnetica di interfacce magnetiche e film sottili; - Esperienza nelle tecniche spettroscopiche in ultra alto vuoto (UHV); - Esperienza in rovesciamento della magnetizzazione indotta da impulsi laser. -Buona conoscenza della lingua inglese; |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
POSIZIONE B - requisiti richiesti: -Laurea in Discipline Scientifiche; -Phd di durata minima triennale, in Fisica o Scienza dei Materiali o Fisica della Materia Condensata o materie affini; - Minimo 3 anni di esperienza di ricerca scientifica post-dottorale. E’ richiesta inoltre: -Conoscenza ed esperienza nelle tecniche di crescita molecular beam epitaxy (MBE) e pulsed laser deposition (PLD); -Esperienza di crescita di interfacce epitassiali di film sottili di isolanti topologici e chalcogenides su semiconduttori e/o metalli con tecnica MBE; -Esperienza nella crescita e caratterizzazione elettrica/magnetica di sistemi magnetici diluiti, interfacce ferromagnete/ferroelettrico, e sistemi multiferroici; -Esperienza nelle tecniche spettroscopiche in ultra alto vuoto (UHV); - Buona conoscenza della lingua inglese. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
POSITION A - QUALIFICATIONS AND EXPERIENCE REQUIRED: - PhD in Physics or Material Science or Condensed Matter Physics or related disciplines; - A minimum of three years experience post-PhD; Moreover it is required: -Knowledge and experience of chemisorption techniques and interfaces with metals -Experience of scanning probe microscopy/spectroscopy. -Experience in electric/magnetic characterization of magnetic interfaces and thin films -Experience of spectroscopic techniques in UHV (ultra High Vacuum) -Experience in Laser induced magnetization switching -Good level of English. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
POSITION B - QUALIFICATIONS AND EXPERIENCE REQUIRED: - PhD in Physics or Material Science or Condensed Matter Physics or related disciplines; - A minimum of three years experience post-PhD; Moreover it is required: -Knowledge and experience of the growth techniques molecular beam epitaxy (MBE) and pulsed laser deposition (PLD) -Experience of growth of epitaxial interfaces of thin films of topological insulators and/or chalcogenides on crystalline semiconductor surfaces and/or metallic surfaces with MBE technique. -Experience in growth and electric/magnetic characterization of diluted magnetic systems, ferromagnet/ferrolectric interfaces, and multiferroic systems. -Experience of spectroscopic techniques in UHV (ultra High Vacuum) - Good level of English. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
I candidati potranno concorrere per una sola delle posizioni messe a concorso (pena l’esclusione) scegliendo tra la posizione A) oppure la posizione B) e dovranno indicare detta scelta nel modulo di domanda (all. A). Le domande presentate saranno valutate dal CNR. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio che si terrà il giorno 15 Gennaio 2019 alle ore 15:00 presso l’Istituto IOM del CNR – Area Science Park Basovizza – Strada Statale 14 Km 163.5 – 34149 TRIESTE. E’ possibile sostenere il colloquio in videoconferenza. I candidati interessati dovranno dichiararlo per iscritto all’atto della sottomissione della domanda. Sulla richiesta dovranno dichiarare tutte le informazioni per effettuare il collegamento. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
Candidates can apply for only one position put forward (under penalty of exclusion) choosing between position A) or position B) and must indicate this choice in the application form (Annex 1) TYPE OF SELECTION: the submitted applications will be evaluated by CNR. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on 15/1/2019 at 3,00 pm, at the Institute IOM of CNR - Area Science Park Basovizza – Strada Statale 14 Km 163,5 – 34149 Trieste (Italy). It is possible to do the interview by videoconference, upon candidate request in written form sent with the application form. By request the candidate must declare all the information to make the connection. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Officina dei Materiali (IOM) |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | TRIESTE |
| Codice postale | 34149 |
| Sito web | http://www.iom.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 30/11/2018 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |