Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio dei meccanismi di degrado di transistors su GaN per applicazioni di potenza |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of the degradation mechanisms of GaN-based transistors for power applications |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività ha come scopo lo studio dei meccanismi di degrado di transistors su GaN per applicazioni di potenza |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity will be focused on the study of the degradation mechanisms of GaN-based transistors for power applications |
| Data del bando | 04/02/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
EUROPE |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione-Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| menego@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 19/02/2019 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |