Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione sperimentale e simulazione di Si-LDMOSFETs e transistori in tecnologia wide-bandgap |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Experimental Characterization and simulation of Si-LDMOSFETs and wide-bandgap power transistors |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca mira ad studio approfondito dei possibili meccanismi di degradazione che limitano l’affidabilità dei transistori di potenza in silicio, SiC e GaN che sono alla base del funzionamento degli inverter e dei convertitori DC-DC. Si propone un approccio basato sulla fisica del dispositivo in cui si prevede di analizzare e modellare le sorgenti fisiche di degradazione. Verranno perciò implementate sia tecniche di caratterizzazione sperimentale che simulazioni numeriche TCAD, al fine di analizzare le proprietà delle soluzioni tecnologiche da investigare. |
| Descrizione sintetica in inglese | In order to improve the reliability of power converters a deep understanding of physical mechanisms that limit the lifetime of power transistors adopted of inverters and DC-DC converts is mandatory. In this work we propose an approach based on the analysis and modeling of microscopic physical mechanisms leading to transistor’s wearout and its consequences on circuits’ operation. Several technologies for the fabrication of power transistors will considered, including silicon Laterally Diffused MOSFETs (LDMOSFETs) for integrated smart-power systems and transistors based on wide-bandgap semiconductors such as GaN and SiC. Extensive experimental analysis will be followed by in-depth analysis physics-based by numerical simulation. The activity will be performed in the frame of collaborations with international advanced research Labs. and Semiconductor companies. |
| Data del bando | 12/03/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| claudio.fiegna@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 02/04/2019 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |