Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sintesi e caratterizzazione di eterostrutture e dispositivi di semiconduttore applicati all’interazione luce-materia, cresciuti per Epitassia a Fasci Molecolari - Prjs PRIN 2015 e MIR-BOSE (H2020FETOPEN) |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Synthesis and characterization of semiconductor heterostructures and devices applied to light-matter interaction, deposited by Molecular Beam Epitaxy-Prj PRIN 2015 e MIR-BOSE (H2020FETOPEN) |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca mira allo sviluppo di dispositivi basati su eterostrutture quantistiche nel sistema semiconduttore GaAs/AlGaAs, e finalizzati allo studio e all’applicazione dell’interazione luce-materia in un ampio intervallo di energie del fotone. Le principali attività scientifiche svolte dal candidato prescelto consisteranno in: - Fabbricazione tramite tecniche litografiche di dispositivi basati su eterostrutture GaAs/AlGaAs cresciute tramite Epitassia a Fasci Molecolari. - Caratterizzazione delle caratteristiche elettriche dei dispositivi realizzati in assenza di sorgenti luminose. - Caratterizzazione della risposta dei dispositivi realizzati a sorgenti luminose in un ampio intervallo di energie del fotone. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research project is aimed at the development of quantum heterostructures in the GaAs/AlGaAs semiconductor system, and devoted to the study and applications of light-matter interaction, in a wide range of photon energies. The main scientific activities performed by the successful candidate will consist of: - Fabrication through lithographic techniques of devices based on GaAs/AlGaAs heterostructures grown by Molecular Beam Epitaxy. - Characterization of the electrical characteristics of the fabricated devices in the absence of light sources. - Characterization of the response of the fabricated devices to light sources in a wide range of photon energies. |
| Data del bando | 18/03/2019 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/8677_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
BANDO IOM AR 003-2019 TS a)diploma di laurea in fisica o materie affini; b)Comprovata esperienza nella fabbricazione di dispositivi di semiconduttore tramite tecniche litografiche; c)Comprovata esperienza nella caratterizzazione ottica ed elettrica di dispositivi di eterostrutture semiconduttore; d)conoscenza della lingua inglese; e)conoscenza della lingua italiana (per i candidati stranieri). |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
CALL IOM AR 003-2019 TS • Master degree in Physics or related disciplines • Proven experience in the fabrication of semiconductor devices through lithographic techniques. • Proven experience in optical and electrical characterization of semiconductor heterostructure devices • good level of English and some knowledge of Italian |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | La prova colloquio, per i candidati ammessi, avrà luogo il giorno 6 maggio 2019 alle ore 14.30 presso la Sede Principale di Trieste Dell’Istituto IOM, Area Science Park–Basovizza, Ed. MM Strada Statale14 Km 163.5 – 34149 Trieste |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on the May the 6th at 2:30 P.M. (local time) c/o IOM Institute IOM, Area Science Park–Basovizza, Ed. MM Strada Statale14 Km 163.5 – 34149 Trieste, Italy. It is possible to do the interview by videoconference |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Officina dei Materiali (IOM) |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | TRIESTE |
| Codice postale | 34149 |
| Indirizzo | Area Science Park–Basovizza, Ed. MM Strada Statale14 Km 163.5 |
| Sito web | http://www.iom.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 04/04/2019 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |