Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | “CHALLENGE” |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | “CHALLENGE” |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'attività elettrica dei difetti in SiC 3C è una delle principali preoccupazioni per il funzionamento dei dispositivi elettronici.Per ottenere rendimenti fattibili è necessario comprendere i meccanismi dei difetti e sviluppare metodi per la loro riduzione. Nel progetto verranno utilizzati nuovi approcci per la riduzione dei difetti, lavorando su nuovi substrati che possono aiutare a ridurre lo stress e la densità dei difetti.Questo processo di crescita sarà guidato da simulazioni numeriche della crescita e simulazioni della riduzione dello stress. La struttura dei dispositivi finali verrà simulata utilizzando gli strumenti numerici appropriati in cui verrà introdotto un nuovo modello numerico per tenere conto delle proprietà del nuovo materiale. Grazie a questi strumenti di simulazione e al nuovo materiale a bassa densità di difetti all'interno del progetto verranno realizzati diversi dispositivi in grado di funzionare a potenza elevata e con un basso consumo energetico. |
| Descrizione sintetica in inglese | The electrical activity of extended defects in 3C SiC is a major concern for electronic device functioning. To achieve viable commercial yields the mechanisms of defects must be understood and methods for their reduction developed. In this project new approaches for the reduction of defects will be used, working on new compliance substrates that can help to reduce the stress and the defect density at the same time. This growth process will be driven by numerical simulations of the growth and simulations of the stress reduction. The structure of the final devices will be simulated using the appropriated numerical tools where new numerical model will be introduced to take into account the properties of the new material. Thanks to these simulations tools and the new material with low defect density, several devices that can work at high power and with low power consumption will be realized inside the project. |
| Data del bando | 22/03/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://WWW.URP.CNR.IT |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Catania |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| segreteria@imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 09/04/2019 - alle ore 00:00 |
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