Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazioni atomistiche dell'evoluzione di difetti estesi in eterostrutture SiGe su substrati di silicio piatti o litografati |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Atomistic simulations of extended defect evolution in SiGe heterostructure on flat or patterned silicon substrate |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | l'assegnista dovrà svolgere simulazioni atomistiche (principalmente Dinamica Molecolare) per complessi di dislocazioni in eterostrutture epitassiali di Silicio e Germanio. Occorrerà analizzare il comportamento di tali difetti in diverse condizioni di composizione, deformazione e temperatura. In particolare si vuole indagare lo svolgersi delle interazioni tra dislocazioni, strain e superfici libere per l'intera geometria del difetto, loop, segmenti di misfit e braccia passanti. Verranno anche considerati cristalli di area finita cresciuti su substrati litografati. Inoltre si avrà la possibilità di verificare i risultati e progettare gli studi sulla base di dati sperimentali ottenuti da gruppi di ricerca con cui sono in essere diverse collaborazioni. |
| Descrizione sintetica in inglese | the winner of this "assegno di ricerca" will be in charge to perform atomistic simulatons (mainly Molecular Dynamics) of dislocation complexes in Silicon Germanium epitaxial heterostructures. https://www.unimib.it/ateneo/gare-e-concorsi/cod-19a057 Different conditions in terms of composition, deformation and temperatures will be considered. The whole three dimensional defect configuration, including initial loop, threading arms and misfit segments will be treated; their mutual interaction and their interaction with strain fields and free surfaces will be investigated. In addition to the flat case, also the condition releated to finite area three dimensional crystals grown on patterned silicon substrate will be analyzed. For both, it will be possible to compare results and design simulations with experimental collegues. |
| Data del bando | 09/05/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
AFRICA OCEANIA EUROPE NORTH AMERICA SOUTH AMERICA ASIA OTHER |
| Paesi di residenza dei candidati |
OCEANIA AFRICA EUROPE NORTH AMERICA SOUTH AMERICA ASIA OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OCEANIA NORTH AMERICA SOUTH AMERICA ASIA AFRICA EUROPE OTHER |
| Sito web del bando | https://www.unimib.it/ateneo/gare-e-concorsi/cod-19a057 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Milano Bicocca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | MILANO |
| Sito web | http://www.unimib.it |
| bandi.assegni_borse@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 29/05/2019 - alle ore 00:00 |
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