Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Affidabilità di GaN-HEMT per applicazioni RF |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Reliability in GaN-HEMT for RF applications |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività ha come scopo lo studio dei meccanismi di degradazione di transistors in GaN per applicazioni in radiofrequenza |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity will be focused on the study of the degradation mechanisms of GaN-based transistors for RF applications |
| Data del bando | 12/06/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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| Paesi di residenza dei candidati |
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| Nazionalità dei candidati |
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| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione-Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 27/06/2019 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |