Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Modellistica numerica di dispositivi nanoelettronici basati su effetti quantistici |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Numerical modelling of nanoelectronic devices based on quantum-mechanical effects |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività prevede lo sviluppo di strumenti software per la simulazione di dispositivi nanoelettronici il cui funzionamento è legato a fenomeni quanto-meccanici, in particolare: 1) transistori ad effetto tunnel (Tunnel Field Effect Transistor: TFET) con geometrie non convenzionali, basati su nanowire o su film sottili, con diversi tipi di materiali semiconduttori (silicio, composti III-V, ecc.); 2) quantum-dot in silicio o composti III-V utilizzati come spin qubit per applicazioni di tipo quantum computing. Tali dispositivi sono strutturalmente simili ai transistori ad effetto di campo, ma differiscono da essi in modo essenziale a causa della presenza di barriere di potenziale tra canale e source e canale e drain. Il programma prevede la soluzione delle equazioni di Schrödinger e Poisson. Nei quantum dot occorre tenere in conto la presenza di un campo magnetico, la temperatura di funzionamento criogenica, e gli effetti di interazione tra le cariche. |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity includes the development of software tools for the simulation of nanoelectronic devices, which are intrinsically based on quantum-mechanical effects, namely: 1) Tunnel Field Effect Transistors (TFETs) with non-conventional geometries, based on nanowires or thin films of different types of semiconductors (silicon, III-V compounds) and related heterostructures; 2) silicon or III-V semiconductor quantum dots used as spin qubits for quantum computing applications. Such devices are structurally similar to FETs, from which they differ essentially for the presence of potential barriers, electrostatically controlled, between channel and source and channel and drain. The program is based on the solution of the coupled Schrödinger’s and Poisson’s equations. In quantum dots it is necessary to take into account the magnetic field, the cryogenic working temperature and the interaction effects between particles trapped within the dot. |
| Data del bando | 19/06/2019 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aricweb.unibo.it/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| antonio.gnudi@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 22/07/2019 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |