Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Progetto e caratterizzazione di fotorivelatori dual-band visibile/infrarosso in tecnologia GaAs/Ge su silicio |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Design and characterization of visual/infrared dual-band photodetectors in GaAs/Ge technology on silicon |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | Il programma di ricerca si svolge nell’ambito del progetto: VISIR - Novel combined visible - infrared detectors finanziato dalla comunità europea (H2020 ATTRACT) e svolto in collaborazione con IMASENIC Advanced Imaging e il Politecnico di Milano. Obiettivo del progetto è la realizzazione di un prototipo di fotorivelatore a risposta spettrale accordabile per mezzo della tensione di polarizzazione e sensibile sia nel visibile che nel vicino infrarosso. Il dispositivo sarà realizzato per mezzo di una tecnologia innovativa basata sulla crescita epitassiale di GaAs e Ge si substrati di silicio. Il programma di ricerca prevede il progetto, la simulazione, la realizzazione e il test del dispositivo e comprende anche design e simulazione dell’elettronica di readout e uno studio di scaling con l’obiettivo di definire gli step necessari al futuro sviluppo del dispositivo in una matrice di sensori per applicazioni di imaging. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research program takes place within the project: VISIR - Novel combined visible - infrared detectors funded by the European Community (H2020 ATTRACT) and carried out in collaboration with IMASENIC Advanced Imaging and the Politecnico di Milano. The aim of the project is the realization of a prototype of a photodetector with spectral response that can be tuned by means of the polarization and sensitive voltage both in the visible and in the near infrared. The device will be realized by means of an innovative technology based on the epitaxial growth of GaAs and Ge si silicon substrates. The research program includes the design, simulation, implementation and testing of the device and also includes design and simulation of readout electronics and a scaling study with the aim of defining the steps necessary for future development of the device in a matrix of sensors for imaging applications. |
| Data del bando | 30/07/2019 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Periodicità | 12 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://host.uniroma3.it/uffici/ricerca/assegni-di-ricerca.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi Roma Tre – Dipartimento di Ingegneria |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Roma |
| Codice postale | 00146 |
| Indirizzo | Via Vito Volterra, 62 |
| Sito web | http://host.uniroma3.it/uffici/ricerca/assegni-di-ricerca.aspx |
| ricerca.ingegneria@uniroma3.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 06/09/2019 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |