Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | H2020 FET Open OXiNEMS “Oxide Nanoelectromechanical Systems for Ultrasensitive and Robust Sensing of Biomagnetic Fields” (dettagli su www.oxinems.eu ) bando SPIN AR 003-2019 GE |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | H2020 FET Open project OXiNEMS “Oxide Nanoelectromechanical Systems for Ultrasensitive and Robust Sensing of Biomagnetic Fields” (more information www.oxinems.eu ) Call SPIN AR 003-2019 GE |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Deposizione tramite ablazione laser pulsata di film sottili di ossidi di metalli di transizione e loro caratterizzazione morfologica, strutturale e funzionale. Fabbricazione di microstrutture a film sottile tramite processi di litografia ottica e processi di rimozione chimici e fisici. Si richiede capacità nel gestire e ottimizzare in autonomia i processi di deposizione e le attività di microfabbricazione. L’assegnista parteciperà anche alla progettazione e alla caratterizzazione optomeccanica delle microstrutture stesse. Saranno possibili brevi soggiorni di ricerca presso i partner del progetto stesso. |
| Descrizione sintetica in inglese | Deposition by pulsed laser ablation of thin films of transition metal oxides and their morphological, structural and functional characterization. Fabrication of thin-film microstructures using optical lithography processes and chemical/physical removal processes. The ability to manage and optimize autonomously the deposition processes and the microfabrication activities is required. The research fellow will also participate in the design and optomechanical characterization of the microstructures. Short research stays with the project partners will be possible. |
| Data del bando | 01/08/2019 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/9033_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | yes |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Per l'ammissione sono richiesti i seguenti requisiti: -Laurea e Dottorato di ricerca in Fisica o Scienze dei Materiali o Chimica o Ingegneria Elettronica o materie equivalenti; -b) esperienza nella fabbricazione di dispositivi con tecniche di micro o nanolitografia e nell’utilizzo/manipolazione di sostanze chimiche in camera pulita. Sarà valutato positivamente l’aver esperienza nella deposizione di film sottili, in particolare tramite ablazione laser pulsata, nella caratterizzazione morfologica e strutturale di film sottili tramite microscopia AFM, diffrazione a raggi X e analisi RHEED: -conoscenza della lingua Inglese; -conoscenza di base della lingua italiana. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
QUALIFICATIONS AND EXPERIENCE REQUIRED: -Master Degree and PhD Degree in Physics or Material Science or Chemistry or Electronic Engineering or equivalent subjects; -Experience in the fabrication of devices with micro or nanolithography and in using/handling of chemicals in clean room environment is required. Experience in thin film deposition, in particular by pulsed laser ablation, in the morphological and structural characterization of thin films by AFM microscopy, X-ray diffraction and RHEED analysis will be positively evaluated; -good level of English and some knowledge of Italian |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
Le candidature saranno valutate dal CNR-SPIN. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio per il quale saranno convocati con un anticipo di almeno 20 giorni. E’ possibile sostenere il colloquio in videoconferenza. I candidati interessati dovranno dichiararlo per iscritto all’atto della sottomissione della domanda. Sulla richiesta dovranno dichiarare tutte le informazioni necessarie per poter effettuare il collegamento. Per l’invio delle domande si veda l’art. 4 del bando di selezione. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR-SPIN. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview at least 20 days in advance. It is possible to do the interview by videoconference, upon candidate request in written form sent with the application form. By request, the candidate must declare all the information to make the connection. HOW TO APPLY: The application as PDF files should be sent by e-mail to: spin.recruitment@spin.cnr.it , to Director of Institute SPIN CNR using annexes A. B and C of call |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - ISTITUTO SPIN |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | genova |
| Codice postale | 16152 |
| Sito web | http://www.spin.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
|---|
| Data di scadenza del bando | 30/09/2019 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |