Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | GRANT - Graphene Golay Micro-Cell For a Color-Sernsitive Terahertz Imaging Sensor (bando NANO AR 011-2019 PI) |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | GRANT - Graphene Golay Micro-Cell For a Color-Sernsitive Terahertz Imaging Sensor. (Call NANO AR 011-2019 PI) |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Realizzazione e caratterizzazione di rivelatori THz a celle di Golay basati su materiali bidimensionali e/o nanorisuonatori meccanici nell’ambito del progetto ATTRACT GRANT |
Descrizione sintetica in inglese | Development and characterization of Golay cell THz detectors based on bidimensional materials and/or mechanical nanoresonators in the framework of ATTRACT GRANT project |
Data del bando | 17/09/2019 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
Nazionalità dei candidati |
OTHER |
Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/9103_DOC_IT.pdf |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
Importo annuale | 22000 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | no |
Comprende il costo della ricerca | no |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Sono richiesti i seguenti requisiti: - Laurea in Fisica o in materie affini - Titolo di Dottore di Ricerca in Fisica o in Nanoscienze o in temi affini - Documentata esperienza di fabbricazione di dispositivi basati su materiali bidimensionali; - conoscenza della lingua inglese, da valutarsi in sede di colloquio; - conoscenza di base della lingua italiana, (per i candidati stranieri)da valutarsi in sede di colloquio; - |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
QUALIFICATIONS AND EXPERIENCE: - Master degree in Physics; - PhD in Physics, or in Nanotechnology or similar topics; - Experience in fabrication of devices based on 2D-materials; - very good level of English and some knowledge of Italian. |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
Le candidature saranno valutate dal CNR-NANO. I candidati ammessi dovranno sostenere un colloquio che si terrà il 18/10/2019 alle ore 10:00 presso la Sede NANO di Pisa, Piazza San Silvestro 12 – 56127 PISA. E’ possibile sostenere il colloquio in videoconferenza. I candidati interessati dovranno dichiararlo per iscritto all’atto della sottomissione della domanda. Sulla richiesta dovranno dichiarare tutte le informazioni per effettuare il collegamento. Durante il collegamento i candidati dovranno esibire il proprio documento d’identità. |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
The submitted applications will be evaluated by CNR-NANO. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on 18/10/2019, at 10 a.m. at CNR’s Nanoscienze Institute of Pisa, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy. It is possible to do the interview by videoconference, upon candidate request in written form sent with the application form. By request the candidate must declare all the information to make the connection. During the connection the candidate has to show a valid identity document. |
Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Nanoscienze (NANO) |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Pisa |
Codice postale | 56127 |
Sito web | http://www.nano.cnr.it |
supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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Data di scadenza del bando | 04/10/2019 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |