Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio di interfacce e film sottili per la fabbricazione di capacitori MOS e dispositivi di potenza in GaN e SiC |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of interfaces and thin films for the fabrication of MOS capacitors and GaN and SiC power devices |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Gli obiettivi del progetto si inquadrano nell'ambito delle applicazioni elettroniche avanzate per avionica per il settore aerospaziale per migliorare le performance dell'elettronica di potenza basata su transistori ad alta mobilità in nitruro di gallio. Verranno studiate le interfacce e film sottili per la fabbricazione di capacitori MOS e dispositivi di potenza in GaN e SiC |
| Descrizione sintetica in inglese | The objectives of the project are part of the advanced electronic avionics applications for the aerospace sector to improve the performance of power electronics based on high-mobility gallium nitride transistors. The interfaces and thin films for the fabrication of MOS capacitors and GaN and SiC power devices will be studied |
| Data del bando | 26/09/2019 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 22000 |
| Periodicità | annuale |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
OTHER |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | titoli e colloquio |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | qualifications and interview |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | leggere attentamente il bando per le modalità di presentazione della domanda |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | for application read carefully the full annauncement |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR ISM Tor Vergata - Roma |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Roma |
| Codice postale | 00133 |
| Indirizzo | Via del Fosso del Cavaliere 100 |
| Sito web | http://www.ism.cnr.it |
| segreteria.ism@ism.cnr.it | |
| Telefono | 0645488238 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 15/11/2019 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |