Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio della degradazione di dispositivi HEMTs InAlN/GaN sottoposti a Stress elettrici e Termici |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | The degradation study of InAlN/GaN HEMTs devices subjected to Electric and Thermal Stress |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo finale del progetto è la valutazione di HEMT con eterostruttura InAlN/GaN. Le applicazioni spaziali hanno requisiti di l'affidabilità e la robustezza molto stringenti, e rappresentano le richieste più critiche. Noi cercheremo di dimostrare l'importante passo avanti che può essere offerto dalla tecnologia GaN, e soprattutto dalla eterostruttura InAlN in termini di prestazioni e di affidabilità. |
| Descrizione sintetica in inglese | The final objective of the project is the evaluation of InAlN/GaN HEMT technology compared to more conventional AlGaN/GaN one. Regarding space application for which reliability and robustness are of major concerns, we expect to demonstrate the major breakthrough offered by GaN technology, and especially by InAlN if successful. |
| Data del bando | 06/03/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7159 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione- Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| gauss@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 22/03/2012 |
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| Come candidarsi | Other |